一般厚度在10~15μm范圍稍厚的膜，稱為厚膜。厚膜歐姆導電陶瓷，其制備一般采用“厚膜法”或“絲網印刷法”的工藝。

基體通常是有96%的Al2O3制成的陶瓷體。然后用如上的厚膜法或絲網印刷法將釉及具有活性的電阻成分涂到基體上，通過燒后牢固地粘結到基體上，制成厚膜電阻。

盡管漿料及電阻器的制備很簡單，而獲得的元件結構卻很復雜，并且導電機理還是一個在討論的問題。

活性電阻成分通常是高導電性氧化物（10^5~10^6S/m),如PbO、RuO2、Bi2Ru2O7和B2Ir2O7。它們的電學性能與金屬相似，具有低的正溫度系數電阻率（PTCR)。釉通常為硼酸鉛，一般組成為（wt%)52PbO-35SiO2-10B2O3-3Al2O3。正常情況下，電阻器在可導電性組分濃度低時表現出高電阻率及大的負溫度系數（NTC),而在高濃度下表現為低電阻率及正溫度系數（PTC)。這種性能的差異，是因在絕緣的基體上導電顆粒無規則的分布引起的。絕緣基體中分散的金屬顆粒平均粒度100μm,在金屬濃度很小時其導電率很低；而當其濃度在10vol%左右的范圍內略有增加時，其電導率即可增加幾個數量級。這一結果可以理解為，在精確控制濃度下形成電極的顆粒之間逐步形成連續接觸。

通過電子顯微鏡表明：分散的導電顆粒形成了接近于彼此聯結的顆粒鍵。按這種模型，即使在很分散的情況下，也會有一與電極相連的可導顆粒鍵。電阻由兩部分形成，其一是可導顆

粒的內阻；其二是它們之間相接觸的區域電阻。前者提供PTCR,而后者如果依賴于熱激發形成的半導體現象將提供NCR。但是至今，還不可能確定材料顆粒表面之間性能。現已證明，釉中的導電氧化物的溶解度很小，但由于品粒間膜層很薄，致使釉具有足夠的電導率。

另外釉的成分具有抗濕性能，在正常環境中是穩定的。

在生產實際中應嚴格控制生產條件，確保生產重復性好。