1 氮化硅陶瓷基板材料的研究背景：

我國軍工航天、高鐵重工等領域的飛速發展，促使各項科技行業對大功率電子器件的需求逐步加大。為適應更為苛刻復雜的應用條件，大功率電子器件必須朝著耐高溫、高頻、低功耗及智能化、系統化、模塊化的方向發展。延伸到功率器件的組成部件上來看，其中基板的作用就是吸收芯片產生的熱量，并將熱量傳到熱沉上，由此實現與外界的熱交換。因此制備高熱導率基板材料成為研發大功率模塊電子產品的關鍵所在。

大功率散熱基板材料要求具有低成本、高電絕緣性、高穩定性、高導熱性及與芯片匹配的熱膨脹系數（CTE）、平整性和較高的強度等。為了滿足這些要求，研究人員將目光投向了金屬氧化物、陶瓷、聚合物以及復合材料等。被實際應用的散熱基板材料有氧化鋁、氮化鋁、氧化鈹、氮化硅、碳化硅、氮化硼等。

研究人員用實驗的方法證明了氮化硅陶瓷具有很高的熱導率，且在熱膨脹系數、機械性能、抗氧化性、電絕緣性、對環境的影響等各個方面進行了研究，結果都甚為滿意，由此氮化硅被認為是一種很有發展潛力的高速電路和大功率電子器件的散熱基板及封裝材料。

2 有關高熱導率氮化硅陶瓷研究成果：

現階段，將高熱導率氮化硅陶瓷用于電子器件的基板材料仍是一大難題。

目前國外僅有東芝、京瓷等少數公司能將氮化硅陶瓷基板商用化：例如東芝的氮化硅基片（TSN-90）的熱導率為90 W/(m·k)。

國內有北京中材人工晶體研究院成功研制的熱導率為80 W/(m·k)、抗彎強度為750MPa·m1/2的氮化硅陶瓷基片材料，這與東芝公司的商用氮化硅產品性能相近。

中科院上硅所曾宇平研究員團隊成功研制出平均熱導率為95 W/(m·k)，最高可達120 W/(m·k)且穩定性良好的氮化硅tacit，其尺寸為120㎜×120㎜，厚度為0.32㎜，外形尺寸還能根據實際需求進行調整。

3 高熱導率氮化硅作為散熱基板材料的發展趨勢：

（1）低成本氮化硅陶瓷的制備：

目前高熱導率氮化硅陶瓷的燒結溫度在1600~1900℃，制備原料為高純α-Si3N4粉或高純硅粉，在燒結途中還要添加燒結助劑，一系列流程下來制備成本大幅增加，很大程度上限制了氮化硅陶瓷在工業中的推廣應用。因此提升其高熱導率的同時，研究低溫制備、尋找低成本材料、低成本燒結助劑是一直以來的發展趨勢。

（2）氮化硅陶瓷增韌的研究：

由于大功率電子器件的形式多種多樣，散熱基板也需隨著主體結構的變化而改變進行多樣化發展。這就要求基板的制備材料具有良好的加工性能，而硬和脆是陶瓷的特點，加工成型難度大，加工成本也會增加。因此深入研究氮化硅陶瓷的加工成型技術及制備和增強氮化硅陶瓷韌性是發展方向。

（3）高熱導率氮化硅陶瓷熱導率、機械性能和介電性能方面的研究：

當前實驗室研究報道制備出的氮化硅陶瓷最大熱導率是177W/(m·k)，但制得該成品的條件過于苛刻，不適應大規模生產條件，這是接下來需進一步解決的問題之一。另一方面，現階段對氮化硅陶瓷的研究還集中在燒結溫度、燒結助劑種類和含量、致密度等各單量對機械性能和介電性能的簡單影響關系上，而各種綜合條件對機械性能和介電性能的深層次影響機理的研究還處于初級階段，這是今后的研究方向。

（4）對燒結助劑的研究趨向于低成本、無氧化合物或能夠降低晶格中氧含量等方向：

由于燒結助劑能夠降低燒結溫度、促進氮化硅的擴散結晶，因此是目前燒結氮化硅陶瓷的必備成分。為了降低氮化硅陶瓷的生產成本，燒結助劑的成本越低即越好；并且因為氧元素的存在會降低熱導率，因此未來研究無氧元素的燒結助劑將會是趨勢之一。

總的來說，近年來氮化硅陶瓷基板材料的實際熱導率有在不斷提升，但是與理論熱導率仍有較大差距。如何將實驗室數據同現實生產結合從而實現氮化硅陶瓷基板的推廣應用，還需要一定的時間。